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J-GLOBAL ID：200903060457389980

複合半導体基板及びその製造方法

Inventor： 清水 道正
Applicant, Patent owner： 宇部興産株式会社
Agent (1)： 山下 穣平
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993020734
Publication number (International publication number)：1994215993
Application date： Jan. 14, 1993
Publication date： Aug. 05, 1994
Summary：

【要約】【目的】 低ダスト化に有利な基板端面のラウンディング形状を損なうことなく、外径寸法を保持する。【構成】 一の半導体基板21の一方の主面に形成された凹部に、この凹部とかみ合う他の半導体基板11の凸部を貼り合わせて構成される複合半導体基板であって、少なくとも、前記一の半導体基板21の主面上の前記他の半導体基板11が除去されている。

Claim (excerpt)：

一の半導体基板の一方の主面に形成された凹部に、この凹部とかみ合う他の半導体基板の凸部を貼り合わせて構成される複合半導体基板であって、少なくとも、前記一の半導体基板の主面上の前記他の半導体基板が除去されている複合半導体基板。

IPC (2)：

H01L 21/02 ,  H01L 27/12