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J-GLOBAL ID：200903060463827751
半導体装置およびその製造方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
京本 直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992080170
Publication number (International publication number)：1993315332
Application date： Apr. 02, 1992
Publication date： Nov. 26, 1993
Summary：
【要約】【目的】上層に形成する絶縁膜と良好な密着性を有する配線を形成する。【構成】マスク膜を用いた選択メッキ法により金配線を形成した後、この金配線上に第3導電膜としてCr膜7を形成し、さらに熱処理を施して金配線の周囲に絶縁膜との密着性、耐食性、耐熱性の高い反応層8を形成し、未反応のCr膜を除去し、その上層にシリコン酸化膜9を形成する。
Claim (excerpt)：
半導体基板上に設けられた絶縁膜と、この絶縁膜上に順次設けられた第1導電膜と第2導電膜と金属メッキ膜とからなる配線と、この配線を構成する少くとも前記金属メッキ膜の上面と側面に設けられた反応層とを含むことを特徴とする半導体装置。
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (5)
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