高誘電定数材料と接着層を用いた半導体構造とこれを形成する方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：浅村皓 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996143171
Publication number (International publication number)：1996335681
Application date： Jun. 05, 1996
Publication date： Dec. 17, 1996
Summary：

【要約】【課題】半導体素子の対酸素安定電極がレベル間誘電体に接着しない場合、対酸素安定電極は誘電層から剥離し、素子を極端に劣化または破壊する。従ってこの対酸素安定層と層間分離層との間の接着の問題を取り除いた素子構造が必要とされている。【解決手段】半導体基板12の能動域14上に形成した半導体素子10を提供する。素子10はレベル間分離層18の開口部に形成した伝送性プラグ20とバリア層22を含む。内部電極24は接着層26の使用によりレベル間分離層18に接着させられる。高誘電定数層28と外部電極30は内部電極24から外方に形成される。

Claim (excerpt)：

半導体基板の外面から外方に形成された半導体素子において、前記基板の外面に近接して配置された能動域と、前記能動域に電気的に接続した伝導性プラグと、前記半導体基板の外面に隣接して配置され前記伝導性プラグを取り囲むレベル間分離層と、前記伝導性プラグに電気的に結合され、前記レベル間分離層の外面の近接部分に配置された内部電極と、前記レベル間分離層と前記内部電極との間に配置され、前記レベル間分離層に含まれる材料と前記内部電極に含まれる材料とを接着させる接着層と、を含む半導体素子。

IPC (6)：

H01L 27/108 , H01L 21/8242 , H01L 21/3205 , H01L 21/768 , H01L 27/04 , H01L 21/822

FI (4)：

H01L 27/10 651 , H01L 21/88 M , H01L 21/90 B , H01L 27/04 C

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

半導体装置およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-157591 Applicant：三菱電機株式会社
半導体装置およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-069774 Applicant：三菱電機株式会社

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