Pat
J-GLOBAL ID：200903060467497217
半導体装置の製造方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
井桁 貞一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991256874
Publication number (International publication number)：1993102033
Application date： Oct. 04, 1991
Publication date： Apr. 23, 1993
Summary：
【要約】【目的】 SOI 基板を用いて成る半導体装置に関し,不純物をイオン注入された領域の結晶性の回復を促進することを目的とする。【構成】 活性領域の周囲を多結晶シリコンから成る保護層でマスクしておきイオン注入を行ったのち, 基板を熱処理する。この熱処理において, 活性領域は,その周囲のイオン注入されなかった単結晶領域を核として再結晶化が行われる。前記熱処理ののち, レジストマスクを用いて保護層をパターニングし, その一部をゲート電極として残すとともに, 活性領域の周囲からは除去する。さらに, 同一のレジストマスクを用いて, 活性領域の周囲の単結晶シリコン層を除去して,活性領域をメサ状に分離する。
Claim (excerpt)：
支持基板上に絶縁層を介して形成された単結晶シリコン層の表面に,イオン注入に対するマスクとなる保護層を形成する工程と,該シリコン層表面におけるイオン注入すべき領域を表出する開口を該保護層に形成する工程と,該開口が形成された該保護層をマスクとして該領域における該シリコン層に対してイオン注入を施す工程と,該イオン注入が施された該領域における結晶性を回復させるための熱処理を該シリコン層に対して施す工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2)：
FI (2)：
H01L 21/265 P
, H01L 21/265 A
