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J-GLOBAL ID：200903060475994181

ハーフトーン方式位相シフトマスク及びレジスト露光方法

Inventor： 上澤 史且
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 山本 孝久
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994166078
Publication number (International publication number)：1996015851
Application date： Jun. 24, 1994
Publication date： Jan. 19, 1996
Summary：

【要約】【目的】サブピークの発生を抑制することができ、しかも高い位相シフト効果を有するハーフトーン方式位相シフトマスクを提供することにある。また、本発明の目的は、かかるハーフトーン方式位相シフトマスクを用いたレジスト露光方法を提供する。【構成】ハーフトーン方式位相シフトマスクは、光透過領域と半遮光領域から成り、光透過領域を通過する光と半遮光領域を通過する光の位相差が180度ではないことを特徴とする。光の位相差は100度乃至130度であることが望ましい。レジスト露光方法は、光透過領域と半遮光領域から成り、光透過領域を通過する光と半遮光領域を通過する光の位相差が180度ではないハーフトーン方式位相シフトマスクを用いて、基板上に形成されたレジスト材料を露光する。

Claim (excerpt)：

光透過領域と半遮光領域から成り、光透過領域を通過する光と半遮光領域を通過する光の位相差が180度ではないことを特徴とするハーフトーン方式位相シフトマスク。

IPC (3)：

G03F 1/08 ,  G03F 7/20 521 ,  H01L 21/027

FI (3)：

H01L 21/30 502 P ,  H01L 21/30 514 C ,  H01L 21/30 528