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J-GLOBAL ID：200903060480373535

シリコンウエハの製造方法

Inventor： 松下 純一 ,  吉川 淳 ,  真田 昌之 ,  清水 達也
Applicant, Patent owner： 東芝セラミックス株式会社
Agent (1)： 高 雄次郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994159209
Publication number (International publication number)：1996008264
Application date： Jun. 17, 1994
Publication date： Jan. 12, 1996
Summary：

【要約】【目的】 ウエハ表面に不良を発生することなく、ウエハを水素含有ガス雰囲気中で熱処理可能なシリコンウエハの製造方法を提供する。【構成】 炉内を、ウエハ炉入れ時の大気雰囲気,置換ガス雰囲気,水素含有ガス雰囲気,置換ガス雰囲気,ウエハ炉出し時の大気雰囲気の順で、変化させてシリコンウエハを熱処理する際に、置換ガスとして2.57ppm以下の水分量の高純度不活性ガスを用いることにより、熱処理前後のウエハ表面の活性度を低下させる。

Claim (excerpt)：

シリコンウエハを熱処理炉内で水素含有ガス雰囲気中で熱処理をするにあたり、炉内を、ウエハ炉入れ時の大気雰囲気、置換ガス雰囲気、水素含有ガス雰囲気、置換ガス雰囲気、ウエハ炉出し時の大気雰囲気の順で、炉内雰囲気を変化させるシリコンウエハの製造方法において、2.57ppm以下の水分量を含有する高純度不活性ガスを置換ガスとして用いることを特徴とするシリコンウエハの製造方法。

IPC (2)：

H01L 21/322 ,  H01L 21/02

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 特開平4-167433