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J-GLOBAL ID：200903060484253569

窒化けい素回路基板

Inventor： 池田 和男 ,  小松 通泰 ,  水野谷 信幸 ,  小森田 裕 ,  佐藤 孔俊
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 波多野 久 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995344238
Publication number (International publication number)：1997069672
Application date： Dec. 28, 1995
Publication date： Mar. 11, 1997
Summary：

【要約】【課題】窒化けい素焼結体が本来備える高強度高靭性特性を利用し、さらに熱伝導率が高く放熱性に優れるとともに耐熱サイクル特性を大幅に改善した窒化けい素回路基板を提供する。【解決手段】熱伝導率が60W/m・K以上であり、常温における三点曲げ強度が650MPa以上である高熱伝導性窒化けい素基板2に金属回路板4を一体に接合した回路基板1であり、上記高熱伝導性窒化けい素基板2の厚さをDS ,金属回路板4の厚さをDM としたときに関係式DS ≦2DM を満たすことを特徴とする。また回路基板1を50mmの支持間隔で保持した状態で中央部に荷重を付加したときに窒化けい素基板2が破断に至るまでの最大たわみ量が0.6mm以上であることを特徴とする。また回路基板を50mmの支持間隔で保持した状態で抗折試験を実施したときに抗折強度が500MPa以上であることを特徴とする。上記金属回路板4や回路層は、直接接合法,活性金属法またはメタライズ法によって窒化けい素基板2上に一体に接合形成される。

Claim (excerpt)：

熱伝導率が60W/m・K以上で三点曲げ強度(常温)が650MPa以上である高熱伝導性窒化けい素基板上に酸化層を介して金属回路板を接合してなる窒化けい素回路基板において、上記高熱伝導性窒化けい素基板の厚さをDS ,金属回路板の厚さをDM としたときに関係式DS ≦2DM を満たすことを特徴とする窒化けい素回路基板。

IPC (6)：

H05K 1/02 ,  C04B 37/02 ,  H01L 23/12 ,  H05K 1/03 610 ,  H05K 3/20 ,  C04B 35/584

FI (8)：

H05K 1/02 A ,  C04B 37/02 B ,  H05K 1/03 610 D ,  H05K 3/20 Z ,  H01L 23/12 J ,  C04B 35/58 102 C ,  C04B 35/58 102 K ,  C04B 35/58 102 T