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J-GLOBAL ID：200903060484296039

高純度アンモニアを使用した窒化物半導体の製造方法

Inventor： 上田 吉裕 ,  高倉 輝芳 ,  湯浅 貴之 ,  小浦 輝政 ,  中村 雅一 ,  松重 晴彦
Applicant, Patent owner： シャープ株式会社
Agent (2)： 清水 徹男 ,  醍醐 邦弘
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003186630
Publication number (International publication number)：2004104089
Application date： Jun. 30, 2003
Publication date： Apr. 02, 2004
Summary：

【課題】窒化物半導体の窒素源として適した高純度アンモニアを使用した窒化物半導体の製造方法を提供する。【解決手段】フーリエ変換赤外分光法(FT-IR)を用いたガス分析により確定される1310cm-1、1320cm-1ならびに1330cm-1の吸収波長にピークを持つ不純物を、蒸留操作等で低減した高純度アンモニアを得て、これを原材料として窒化物半導体を製造する。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

フーリエ変換赤外分光法によるガス分析で1310cm-1、1320cm-1ならびに1330cm-1の吸収波長にピークが観測される不純物を所定の値以下に低減した高純度アンモニアを窒素源として使用したことを特徴とする窒化物半導体の製造方法。

IPC (3)：

H01L21/205 ,  H01L33/00 ,  H01S5/323

FI (3)：

H01L21/205 ,  H01L33/00 C ,  H01S5/323 610

F-Term (26)：

5F041AA03 ,  5F041CA04 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA48 ,  5F041CA57 ,  5F041CA65 ,  5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AC19 ,  5F045AD14 ,  5F045AF04 ,  5F045AF16 ,  5F045BB11 ,  5F045BB14 ,  5F045CA12 ,  5F045DA55 ,  5F045GB01 ,  5F073CA07 ,  5F073CB05 ,  5F073CB13 ,  5F073DA05 ,  5F073EA23

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• GaN系化合物半導体製造用アンモニアおよびGaN系化合物半導体の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-253027   Applicant：昭和電工株式会社
• 窒化物半導体デバイス
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-290218   Applicant：日亜化学工業株式会社
• 窒化物半導体素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-206460   Applicant：日亜化学工業株式会社
• 窒化物系半導体を用いた半導体素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-213410   Applicant：株式会社東芝