Pat

J-GLOBAL ID：200903060492228298

導電性有機分子薄膜の製造方法、導電性有機分子薄膜を有する構造体及びチオフェン誘導体

Inventor： 崔 奈美 ,  井上 敦央 ,  石田 敬雄 ,  水谷 亘 ,  徳本 洋志
Applicant, Patent owner： モトローラ・インコーポレイテッド ,  シャープ株式会社 ,  技術研究組合オングストロームテクノロジ研究機構 ,  工業技術院長
Agent (2)： 井上 俊夫 ,  井上 俊夫 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998197967
Publication number (International publication number)：2000021817
Application date： Jun. 29, 1998
Publication date： Jan. 21, 2000
Summary：

【要約】【課題】半導体基板の酸化膜上に導電性分子を化学吸着させることにより、良質で安定な導電性有機単分子膜を製造する方法およびその方法に用いる導電性分子を提供すること。【解決手段】半導体基板の酸化膜上に水酸基を有する領域と水酸基を有しない領域とを形成し、この基板に下記一般式(1)で表されるチオフェン誘導体の溶液を接触させ、例えばClの部分において前記水酸基の酸素を介して基板に化学吸着させ自己組織化単分子膜を形成する。【化1】

Claim (excerpt)：

少なくとも表面部が絶縁性であって、表面に水酸基を有する基板に、下記一般式(1)で表される有機シリコン化合物の溶液または蒸気を接触させて、当該有機シリコン化合物を前記水酸基と反応させて導電性である有機シリコン化合物の分子薄膜を基板表面に形成することを特徴とする導電性有機分子薄膜の製造方法。【化1】(式中Xは共役系の分子、R1、R2及びR3のうちの一つは水酸基の水素と反応して共有結合を形成する基、R1、R2及びR3のうちの残り二つは水酸基の水素と反応しない基、R4及びR5は水酸基の水素と反応しない基を夫々示す)

IPC (2)：

H01L 21/285 ,  C07F 7/12

FI (2)：

H01L 21/285 Z ,  C07F 7/12 V

F-Term (14)：

4H049VN01 ,  4H049VP11 ,  4H049VQ61 ,  4H049VQ76 ,  4H049VS09 ,  4H049VS21 ,  4H049VS61 ,  4H049VS76 ,  4H049VU24 ,  4H049VU30 ,  4H049VW02 ,  4H049VW33 ,  4M104BB36 ,  4M104DD51