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J-GLOBAL ID：200903060492546346
金属膜の形成方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
井内 龍二
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993061786
Publication number (International publication number)：1994275536
Application date： Mar. 22, 1993
Publication date： Sep. 30, 1994
Summary：
【要約】【構成】 ウエハ11の気相成長面12の裏面13に酸化膜15を形成し、その後に前記気相成長面12に金属膜17を形成する金属膜の形成方法。【効果】 ウエハ11の周囲をシールリングで覆うことなく裏面13での金属膜17の形成を阻止することができることにより、金属薄膜の剥離を防止することができ、パーティクルの発生によるウエハ11や装置等の汚染を防止しながら気相成長面12に膜質及び膜厚等の均一な金属膜17を形成することができる。したがって、コンタクトホール及びスルーホールの埋め込み特性及び表面の平坦性を良好にすることができながら、しかも製造される半導体装置の汚染を防止することができる。
Claim (excerpt)：
ウエハの気相成長面の裏面に酸化膜を形成し、その後に前記気相成長面に金属膜を形成することを特徴とする金属膜の形成方法。
IPC (3)：
H01L 21/205
, H01L 21/285
, H01L 21/90
