Pat
J-GLOBAL ID：200903060512441481
半導体フローセンサ及びその製造方法
Inventor：
,
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
東島 隆治 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993243175
Publication number (International publication number)：1995106296
Application date： Sep. 29, 1993
Publication date： Apr. 21, 1995
Summary：
【要約】【目的】 半導体フローセンサにおいて、シリコン基板と同一材で分離層及び抵抗体層を形成することにより半導体フローセンサの構造強度を向上し、更に加熱処理等により感度、応答性等のフローセンサの特性を向上することが出来得る半導体フローセンサを提供する。【構成】 P形層のシリコン(100)基板10に熱拡散法、エピタキシャル成長法及びイオン打込み法のいずれか一方でN形の分離層41及びP+形の抵抗体層35を順次形成あるいは順次積層して、半導体フローセンサの構造強度を向上し、かつ抵抗体層35をヒーター20、測温抵抗体30及びエッチマスク40にパターニングして、シリコン(100)基板10及び分離層41にエッチホール11を設けることでヒーター20及び測温抵抗体30とシリコン(100)基板とを熱的及び電気的に絶縁して、気体の流量あるいは流速を測定する。
Claim (excerpt)：
P形のシリコン基板、前記シリコン基板に熱拡散法、エピタキシャル成長法及びイオン打込み法のうちいずれか一方によりN形に形成された分離層、前記分離層に熱拡散法、エピタキシャル成長法及びイオン打込み法のうちいずれか一方によりP+形に形成され、ブリッジ部と前記ブリッジ部の両端で前記ブリッジ部を支持するブリッジ支持部とで構成される第1、第2及び第3の抵抗体と、エッチマスクとを有する抵抗体層、前記第1、第2及び第3の抵抗体の前記ブリッジ支持部上で形成された電極、前記シリコン基板と前記第1、第2及び第3の抵抗体の前記ブリッジ部とを遊離するように前記シリコン基板及び前記分離層に設けたエッチホール、を具備する半導体フローセンサ。
IPC (3)：
H01L 21/306
, G01F 1/68
, H01L 29/84
