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J-GLOBAL ID：200903060514828561

ビスマス層状強誘電体薄膜の製造方法

Inventor： 寶地戸 雄幸 ,  門倉 秀公 ,  松本 政道 ,  小島 穣
Applicant, Patent owner： 株式会社高純度化学研究所
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995296314
Publication number (International publication number)：1997110430
Application date： Oct. 06, 1995
Publication date： Apr. 28, 1997
Summary：

【要約】【目的】 不揮発メモリーなどに用いられるビスマス層状強誘電体薄膜ABi2B2O9(ここでAはSrまたはBaを、BはNbまたはTaを表す)を化学気相成長法で形成する方法を提供する。【構成】 熱CVD装置において、AとBの原料としてA〔B(OR)6〕2で表されるダブルエトキシドあるいはダブルイソプロポキシドを蒸発または昇華させて導入し、Biの原料として、ビスマスターシャリブトキシドまたはビスマスターシャリペントキシドを昇華させて導入し、加熱した基板上にこれらの原料ガスを導き分解堆積させ、次いで酸化性ガス雰囲気で、該膜に紫外線を照射しながら熱処理する。【効果】 本発明によれば、上記の方法を用いることにより、膜の組成、膜中の残留炭素の低減、結晶構造の制御が容易になり、半導体装置製造において電気特性歩が向上する効果がある。

Claim (excerpt)：

ABi2B2O9(ただし、式中A=Sr,Ba,B=Nb,Taのいずれかを表す)で表されるビスマス層状強誘電体の薄膜を、AとBの原料としてA〔B(OR)6〕2(ここでRは、C2H5またはCH(CH3)2を表す)で表されるダブルアルコキシドを用い、Biの原料としてビスマスターシャリブトキシドあるいはビスマスターシャリペントキシドを用いて気相成長法で製造する場合において、両原料の分解堆積により膜を形成する工程と次いで酸化性ガスの雰囲気で、紫外線を照射しながら熱処理する工程を有することを特徴とするビスマス層状強誘電体薄膜の製造方法。

IPC (7)：

C01G 35/00 ,  B01J 19/00 ,  C01G 33/00 ,  C23C 16/40 ,  H01B 3/00 ,  H01B 3/12 318 ,  H01G 4/33

FI (7)：

C01G 35/00 C ,  B01J 19/00 K ,  C01G 33/00 A ,  C23C 16/40 ,  H01B 3/00 F ,  H01B 3/12 318 G ,  H01G 4/06 102