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J-GLOBAL ID：200903060518307191

シリコン単結晶の製造装置

Inventor： 内藤 俊太 ,  大久保 正道 ,  高尾 滋良
Applicant, Patent owner： 新日本製鐵株式会社 ,  ニッテツ電子株式会社
Agent (1)： 八田 幹雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994006002
Publication number (International publication number)：1995206576
Application date： Jan. 24, 1994
Publication date： Aug. 08, 1995
Summary：

【要約】【目的】 引上げ室天井と円筒との接触部の熱伝導性を向上させ、該円筒の熱遮蔽効果を向上できるシリコン単結晶の製造装置を提供する。【構成】 引上げ単結晶棒を同軸に囲む円筒を引上げ室天井から吊下げるチョクラルスキー法のシリコン単結晶の製造装置において、水冷される引上げ室天井部と該円筒との接触部の熱伝導性を向上させる処置を加えた円筒保持部材を設けたことを特徴とするシリコン単結晶の製造装置である。【効果】 単結晶インゴットのOSF密度(特に8インチ結晶において)の低減を実現することができる。

Claim (excerpt)：

引上げ単結晶棒を同軸に囲む円筒を引上げ室天井から吊下げるチョクラルスキー法のシリコン単結晶の製造装置において、水冷される引上げ室天井部と該円筒との接触部の熱伝導性を向上させる処置を加えた円筒保持部材を設けたことを特徴とするシリコン単結晶の製造装置。

IPC (3)：

C30B 15/00 ,  C30B 29/06 502 ,  H01L 21/208