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J-GLOBAL ID：200903060519103190

モジュラーバイポーラ-CMOS-DMOSアナログ集積回路およびパワートランジスタ技術

Inventor：
ウィリアムズ,リチャード・ケイ

About ウィリアムズ,リチャード・ケイ

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コーネル,マイケル・イー

About コーネル,マイケル・イー

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チャン,ワイ・ティエン

About チャン,ワイ・ティエン


Applicant, Patent owner：
アドバンスト・アナロジック・テクノロジーズ・インコーポレイテッド

About アドバンスト・アナロジック・テクノロジーズ・インコーポレイテッド


Agent (6)： 深見 久郎 ,  森田 俊雄 ,  仲村 義平 ,  堀井 豊 ,  野田 久登 ,  酒井 將行
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2004540161
Publication number (International publication number)：2006514425
Application date： Sep. 19, 2003
Publication date： Apr. 27, 2006
Summary：
一群の半導体デバイスが、エピタキシャル層を含まない基板に形成される。一実施例では、この一群は、5VのCMOSペア、12VのCMOSペア、5VのNPN、5VのPNP、いくつかの形状の横型トレンチMOSFET、および30V横型N-チャネルDMOSを含む。これらのデバイスの各々は、横方向かつ縦方向の双方において極めて小型であり、基板の他のすべてのデバイスから十分に分離され得る。
Claim (excerpt)：
第1の導電型の半導体基板に形成された半導体デバイスのファミリーであって、前記基板はエピタキシャル層を含まず、前記ファミリーは、トレンチゲート型MOSFETを備え、前記トレンチゲート型MOSFETは、 前記基板の表面に形成された少なくとも4つのトレンチを含み、導電性ゲート材料は、前記トレンチの各々内に配置され、各トレンチ内の前記ゲート材料は、誘電体層により前記半導体基板から分離され、第1のトレンチは、第1のメサにより第2のトレンチから分離され、前記第2のトレンチは、第2のメサにより第3のトレンチから分離され、前記第3のトレンチは、第3のメサにより第4のトレンチから分離され、 前記第2のメサは、 前記第1の導電型とは反対の第2の導電型を有し、かつ、前記基板の表面に隣接して前記第2のメサを完全に横切って延びるソース領域を含み、前記ソース領域は、前記第2の導電型の第1のドーピング濃度を有し、前記第2のメサはさらに、 前記第1の導電型を有し、かつ、前記ソース領域に隣接して前記第2のメサを完全に横切って延びるボディ領域と、 前記ボディ領域に隣接して前記第2のメサを完全に横切って延びる高電圧ドリフト領域とを含み、前記高電圧ドリフト領域は、前記第2の導電型の第2のドーピング濃度を有し、 前記第1のメサおよび前記第3のメサの各々は、 前記第2の導電型を有し、かつ、前記基板の表面に隣接してそれぞれ前記第1のメサおよび前記第3のメサを完全に横切って延びるドレイン領域を含み、前記ドレイン領域は、前記第2の導電型の第3のドーピング濃度を有し、前記第1のメサおよび前記第3のメサの各々はさらに、 前記第2の導電型を有し、かつ、前記ドレイン領域に隣接してそれぞれ前記第1のメサおよび前記第3のメサを完全に横切って延びるウェルを含み、前記ウェルは、前記第2の導電型の第4のドーピング濃度を有し、前記トレンチゲート型MOSFETはさらに、 前記第2の導電型の層を含み、前記層は、前記第1のトレンチ、前記第2のトレンチ、前記第3のトレンチ、および前記第4のトレンチの各々の底部に当接し、 前記第1のドーピング濃度は、前記第2のドーピング濃度よりも高く、前記第3のドーピング濃度は、前記第4のドーピング濃度よりも高い、半導体デバイスのファミリー。
IPC (5)：
H01L 21/824 ,  H01L 27/06 ,  H01L 27/088 ,  H01L 21/823 ,  H01L 27/092
FI (5)：
H01L27/06 321A ,  H01L27/06 321B ,  H01L27/08 102A ,  H01L27/08 321A ,  H01L27/06 102A
F-Term (33)：
5F048AA03 ,  5F048AA05 ,  5F048AA08 ,  5F048AC01 ,  5F048AC05 ,  5F048AC06 ,  5F048BA01 ,  5F048BA12 ,  5F048BB03 ,  5F048BB06 ,  5F048BB07 ,  5F048BB14 ,  5F048BB16 ,  5F048BB19 ,  5F048BC03 ,  5F048BC06 ,  5F048BC07 ,  5F048BC18 ,  5F048BD04 ,  5F048BD10 ,  5F048BE03 ,  5F048BE04 ,  5F048BE05 ,  5F048BF07 ,  5F048BF11 ,  5F048BG12 ,  5F048BH01 ,  5F048BH07 ,  5F048CA02 ,  5F048CA04 ,  5F048CA07 ,  5F048CA10 ,  5F048DA23
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (11)
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