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J-GLOBAL ID：200903060550622821
GaP純緑色発光素子基板
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
志波 邦男 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993154168
Publication number (International publication number)：1994342935
Application date： May. 31, 1993
Publication date： Dec. 13, 1994
Summary：
【要約】【目的】 純緑色発光する高輝度GaP発光素子を製造することができるGaP純緑色発光素子基板を提供する。【構成】 GaP単結晶基板10上にn型GaP層12とp型GaP層14とが少なくとも一層づつ形成されたGaP純緑色発光素子基板において、前記n型GaP層12とp型GaP層14との間のpn接合部に、ドナー濃度NDが1×1016個/cm3未満であり、且つドナー濃度NDとアクセプター濃度NAがほぼ等しい中間GaP層13を設ける。中間GaP層13の厚さは3〜5μmの範囲である。
Claim (excerpt)：
GaP単結晶基板上にn型GaP層とp型GaP層とが少なくとも一層づつ形成されたGaP純緑色発光素子基板において、前記n型GaP層とp型GaP層との間のpn接合部に、ドナー濃度NDが1×1016個/cm3未満であり、且つドナー濃度NDとアクセプター濃度NAがほぼ等しい中間GaP層を設けたことを特徴とするGaP純緑色発光素子基板。
Patent cited by the Patent：
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