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J-GLOBAL ID：200903060555769227

低温焼結型誘電体磁器の製造方法

Inventor： 鈴木 靖生 ,  遠藤 一明 ,  小島 暢 ,  石黒 靖江 ,  河西 孝之
Applicant, Patent owner： 富士電気化学株式会社
Agent (1)： 茂見 穰
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993239041
Publication number (International publication number)：1995069719
Application date： Aug. 31, 1993
Publication date： Mar. 14, 1995
Summary：

【要約】【目的】 内部電極材を含んだ構造の各種の誘電体部品を焼成できるような、低温焼結型で、且つ高誘電率を呈する誘電体磁器を製造する。【構成】 主成分としてBaOが10〜16モル%、TiO2 が67.5〜72モル%、Nd2 O3 が15〜18モル%であり、副成分としてBi2 O3 が5〜11重量%、Al2 O3 が0.3〜1重量%であるBa-Ti-Nd-Bi-Al系の誘電体材料に、ガラス材料を添加し、粉体の平均粒径を0.1μm以下に調整して、900〜1100°Cで焼成する。ガラス材料としては、SiO2 が30〜45重量%、B2 O3 が10〜20重量%、BaOが38〜48重量%である組成が好ましい。それを前記誘電体材料に対して1〜50容積%添加するのが望ましい。

Claim (excerpt)：

主成分としてBaOが10〜16モル%、TiO2 が67.5〜72モル%、Nd2 O3 が15〜18モル%であり、それに対し副成分としてBi2 O3 が5〜11重量%、Al2 O3 が0.3〜1重量%であるBa-Ti-Nd-Bi-Al系の誘電体材料に、ガラス材料を添加し、粉体の平均粒径を0.1μm以下に調整して、900〜1100°Cで焼成することを特徴とする低温焼結型誘電体磁器の製造方法。

IPC (3)：

C04B 35/46 ,  H01B 3/00 ,  H01B 3/12 303

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 特開平4-322008
  
• 誘電体磁器組成物の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-334106   Applicant：株式会社村田製作所