Pat

J-GLOBAL ID：200903060558779444

フォトレジスト組成物及びこれを用いたパターン形成方法

Inventor： 朴 春根 ,  李 重▲げん▼ ,  韓 宇聲
Applicant, Patent owner： 三星電子株式会社
Agent (1)： 八田 幹雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993193551
Publication number (International publication number)：1994194836
Application date： Aug. 04, 1993
Publication date： Jul. 15, 1994
Summary：

【要約】 (修正有)【目的】 0.25μmまでの良好なプロファイルを有するレジストパターンが収得できるのみならず、パターンの線形性が0.25μmまで保たれ、0.25μm大きさの微細パターンとこれより大きい大きさのパターンを同時に形成する。【構成】 式Iのノボラック系樹脂と式IIのポリビニルフェノール系樹脂を含むフォトレジスト組成物を半導体ウェーハ上に塗布してレジスト層を形成した後、フォトマスクを用いて前記レジスト層を選択的に露光させ、レジスト層表面の少なくとも一部をシリル化してシリル化レジスト層を形成した後、前記シリル化されたレジスト層下部のレジストを除いたシリル化されていないレジストを除去してレジストパターンを形成する。

Claim (excerpt)：

下記式(I)【化1】のノボラック系樹脂と、下記式(II)【化2】のポリビニルフェノール系樹脂を含むことを特徴とするフォトレジスト組成物(ただし、式中、R11は水素原子または炭素数1ないし6のアルキル基を示し、R12は炭素数1ないし6のアルキレン基を示し、n1 及びn2 は正の整数を示す。)。

IPC (4)：

G03F 7/038 ,  G03F 7/004 503 ,  G03F 7/023 511 ,  H01L 21/027