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J-GLOBAL ID：200903060569585994
半導体レーザ
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
朝日奈 宗太 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993174474
Publication number (International publication number)：1995030194
Application date： Jul. 14, 1993
Publication date： Jan. 31, 1995
Summary：
【要約】【目的】 良好な電流-光出力特性がえられると共に、信頼性の高い半導体レーザおよびその製法を提供する。【構成】 たとえばレーザ光出射端面部近傍では、第2電極形成面に段差14が設けられ、第2電極2は、電極2aと2bに分離されている。したがって電極2aに電圧が印加されても、電極2bの下部には電流が流れず、レーザ光出射端面部付近は電流非注入領域となっている。これにより、半導体レーザの特性を左右する活性層近傍の構造、電流狭さく構造の変更を行わずに、局所的な発熱による半導体レーザの特性劣化を確実に防止している。しかも活性層7を量子井戸構造の活性層としているため、電流非注入領域での光の吸収が殆どなく、低パワー領域においても良好な直線性の電流-光出力特性がえられる。
Claim (excerpt)：
(a)第1電極形成面に設けられた第1電極と、(b)第2電極形成面に設けられた第2電極と、(c)第1電極と第2電極とのあいだに設けられた複数の半導体層とからなり、前記複数の半導体層は少なくとも、(イ)量子井戸活性層と、(ロ)第1電極と前記活性層とのあいだに設けられ、屈折率が前記活性層よりも小さく、かつ、禁制帯幅が広い第1導電型の半導体からなる下部クラッド層と、(ハ)第2電極と前記活性層とのあいだに設けられ、屈折率が前記活性層よりも小さく、かつ、禁制帯幅が広い第2導電型の半導体からなる上部クラッド層と、(ニ)前記上部クラッド層と第2電極とのあいだに形成され、屈折率が前記活性層よりも大きく、かつ、禁制帯幅が狭い半導体からなるコンタクト層とを具備する半導体レーザであって、前記半導体層の第2電極形成面の一部に段差が設けられ、第2電極が前記段差により分離されてなる半導体レーザ。
Patent cited by the Patent：
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