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J-GLOBAL ID：200903060573978720

光検出器

Inventor： 田中 学 ,  金野 晃 ,  芦田 純生 ,  熱田 昌己 ,  池田 光志 ,  井原 久典
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 三好 秀和 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996240635
Publication number (International publication number)：1998093063
Application date： Sep. 11, 1996
Publication date： Apr. 10, 1998
Summary：

【要約】【課題】 本発明は、製造工程を増やすこと無く遮光膜を取り入れることができ、さらに、バックゲート効果を均一もしくは無くすことができる光検出器を提供することを目的とする。【解決手段】 光電変換膜を積層した画素電極を複数配列し、前記画素電極間に配置された信号線と、前記画素電極間に配置された走査線と、前記画素電極と信号線との間に配置され前記走査線によりオン・オフする薄膜トランジスタと、前記画素電極電位を読み取る信号読み出し回路と、前記走査線を駆動する走査線駆動回路で構成される光検出器において、薄膜トランジスタとして逆スタガ型薄膜トランジスタを用いた場合、画素電極としてのTi25と同一工程で、画素電極とは別に薄膜トランジスタの上層に遮光膜としてのTi25を形成して成る。

Claim (excerpt)：

光電変換膜を積層した画素電極を複数配列し、前記画素電極間に配置された信号線と、前記画素電極間に配置された走査線と、前記画素電極と信号線との間に配置され前記走査線によりオン・オフする薄膜トランジスタと、前記画素電極電位を読み取る信号読み出し回路と、前記走査線を駆動する走査線駆動回路で構成される光検出器において、薄膜トランジスタとして、逆スタガ型薄膜トランジスタを用いた場合、前記光電変換膜の下層画素電極と同一工程で、画素電極とは別に、薄膜トランジスタの上層に遮光膜を形成することを特徴とする光検出器。

IPC (3)：

H01L 27/14 ,  H01L 27/146 ,  H01L 29/786

FI (3)：

H01L 27/14 K ,  H01L 27/14 C ,  H01L 29/78 613 Z

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

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  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-191234   Applicant：富士ゼロックス株式会社
• 特開昭61-234560