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J-GLOBAL ID：200903060576779672

半導体装置及びその作製方法

Inventor： 坪崎 邦宏
Applicant, Patent owner： 大日本印刷株式会社
Agent (1)： 金山 聡
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000233939
Publication number (International publication number)：2002050716
Application date： Aug. 02, 2000
Publication date： Feb. 15, 2002
Summary：

【要約】【課題】 基板に実装された状態での温度変化によるSiチップクラックを生じにくい構造の、更には、反りが発生しにくく、実装歩留まりの良い構造の、半導体チップの電極形成側の面に、外部端子を再配置した半導体装置を提供する。同時に、そのような半導体装置の作製方法を提供する。【解決手段】 半導体チップの電極形成側の面上に配設された絶縁層上に配線を形成した半導体装置で、絶縁層上に形成された配線と半導体チップの電極とは、半導体チップの電極上に設けられたワイヤバンプ等の接続部を介して、電気的に接続されている。

Claim (excerpt)：

半導体チップの電極形成側の面上に配設された絶縁層上に配線を形成した半導体装置であって、絶縁層上に形成された配線と半導体チップの電極とは、半導体チップの電極上に設けられた接続部を介して電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。