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J-GLOBAL ID：200903060580138118

半導体発光素子及びその製造方法

Inventor： 渡辺 秀明 ,  速水 一行
Applicant, Patent owner： オムロン株式会社
Agent (1)： 中野 雅房
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991194926
Publication number (International publication number)：1993013811
Application date： Jul. 08, 1991
Publication date： Jan. 22, 1993
Summary：

【要約】【目的】 電流を活性層全体に均一に注入して活性層全体で発光させ、活性層で発生した光が電極の影になることが少ないようにする。また、光取り出し層の表面で光が内部へ反射されにくくし、半導体発光素子を高出力化する。【構成】 上部クラッド層5の表面には無反射条件を満たし無反射コート膜として働く拡散剤層6を設ける。上部クラッド層5内には、拡散剤層6から不純物を拡散させ、上部クラッド層5に高濃度半導体領域7を形成する。

Claim (excerpt)：

活性層で発生した光を光取り出し層から外部へ出射させるようにした半導体発光素子において、前記光取り出し層のほぼ全面に光取り出し層と同じ導電型の不純物を高濃度にドープさせて高濃度半導体領域を形成し、この光取り出し層の表面の一部に電極を設け、光取り出し層の表面の少なくとも電極の設けられていない領域に発光波長の光に対し無反射条件を満たす無反射コート膜を形成したことを特徴とする半導体発光素子。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開昭58-034984
  
• 特開昭51-057298
  
• 特開平3-084969
  
• 特開昭64-018279