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J-GLOBAL ID：200903060587225857
半導体受光素子
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
岩佐 義幸
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993016662
Publication number (International publication number)：1994232442
Application date： Feb. 04, 1993
Publication date： Aug. 19, 1994
Summary：
【要約】【目的】 メサ型pn接合フォトダイオードで問題となる表面リーク暗電流を低減し、低暗電流・高信頼な半導体受光素子を実現する。【構成】 n+ 型半導体基板11上に、n+ 型バッファー層12、n- 型超格子アバランシェ増倍層13、p型ワイドギャップ電界降下層14、p- 型光吸収層15、p+ 型キャップ層16、p+ 型コンタクト層17が積層され、メサ側壁に基板と格子整合する高抵抗半導体層110を形成した構造を有する。
Claim (excerpt)：
メサ型pn接合フォトダイオードにおいて、メサ側壁に基板と格子整合する高抵抗半導体層を形成した構造を有することを特徴とする半導体受光素子。
Patent cited by the Patent：
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