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J-GLOBAL ID：200903060591788319

有機エレクトロルミネッセンス表示装置

Inventor： 大野 卓爾
Applicant, Patent owner： 三洋電機株式会社
Agent (1)： 安富 耕二 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997031982
Publication number (International publication number)：1998233286
Application date： Feb. 17, 1997
Publication date： Sep. 02, 1998
Summary：

【要約】【課題】 有機エレクトロルミネッセンス層を介して互いに立体交差する陽極ストライプ群と陰極ストライプ群とを備え、前記陽極ストライプ群から選ばれる特定の陽極ストライプと前記陰極ストライプ群から選ばれる特定の陰極ストライプとの立体交差部分に介在する有機エレクトロルミネッセンス層を発光させる有機エレクトロルミネッセンス表示装置において、有機エレクトロルミネッセンス層に熱的、化学的な損傷を与えることなく陰極ストライプ群を形成する。【解決手段】 有機エレクトロルミネッセンス層上にストライプ状の絶縁樹脂層を形成し、該絶縁樹脂層上を含む前記有機エレクトロルミネッセンス層上の略全面にわたって陰極層を形成し、該陰極層を前記絶縁樹脂層上において分断することにより陰極ストライプ群を形成する。

Claim (excerpt)：

有機エレクトロルミネッセンス層を介して互いに立体交差する陽極ストライプ群と陰極ストライプ群とを備え、前記陽極ストライプ群から選ばれる特定の陽極ストライプと前記陰極ストライプ群から選ばれる特定の陰極ストライプとの立体交差部分に介在する有機エレクトロルミネッセンス層を発光させる有機エレクトロルミネッセンス表示装置において、前記陽極ストライプ群は、透明導電材からなる薄膜パターンとして透明基板上に形成され、前記有機エレクトロルミネッセンス層は、前記陽極ストライプ群上を含む前記透明基板上の略全面にわたって形成され、前記有機エレクトロルミネッセンス層上には、前記陽極ストライプ群に対して立体交差するストライプ状の絶縁樹脂層が形成され、前記陰極ストライプ群は、前記絶縁樹脂層上を含む前記有機エレクトロルミネッセンス層上の略全面にわたって形成された陰極層を、前記絶縁樹脂層上において該絶縁樹脂層のストライプ長方向に沿って分断することにより形成されたことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス表示装置。

IPC (4)：

H05B 33/22 ,  G09F 9/30 365 ,  G09F 9/30 ,  H05B 33/10

FI (4)：

H05B 33/22 ,  G09F 9/30 365 B ,  G09F 9/30 365 C ,  H05B 33/10