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J-GLOBAL ID：200903060606211471

不揮発性半導体記憶装置

Inventor： 興梠 泰宏 ,  山下 正之
Applicant, Patent owner： 三菱電機株式会社
Agent (1)： 早瀬 憲一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991245270
Publication number (International publication number)：1993055605
Application date： Aug. 28, 1991
Publication date： Mar. 05, 1993
Summary：

【要約】 (修正有)【目的】 フローティングゲートとコントロールゲートを有する不揮発性半導体記憶装置の書き込み特性を向上する。【構成】 フローティングゲート4とコントロールゲート5とを備えたフローティングゲート型不揮発性半導体記憶装置において、前記コントロールゲート5に絶縁膜3を介して接するフローティングゲート4の上面に凹凸を設け、コントロールゲート5とフローティングゲート4間に発生する容量値を増大させたものである。

Claim (excerpt)：

フローティングゲートとコントロールゲートとを備えたフローティングゲート型不揮発性半導体記憶装置において、前記コントロールゲートに絶縁膜を介して接するフローティングゲートの上面に凹凸を設け、コントロールゲートとフローティングゲート間に発生する容量値を増大させたことを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。

IPC (3)：

H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  H01L 27/115

FI (2)：

H01L 29/78 371 ,  H01L 27/10 434