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J-GLOBAL ID：200903060610038920

熱電半導体およびその製造方法

Inventor： 田中 爾文 ,  網谷 健児 ,  星 伸吾 ,  田辺 克行
Applicant, Patent owner： ユニチカ株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999219830
Publication number (International publication number)：2001044520
Application date： Aug. 03, 1999
Publication date： Feb. 16, 2001
Summary：

【要約】 (修正有)【課題】 熱電性能の優れた熱電半導体およびその製造方法を提供する。【解決手段】 セラミックスからなる熱電半導体であって、たとえば、平均粒体粒径300nmのZnOと平均粉体粒径300nmのAl2O3微粒子を原料として用い、モル比で(ZnO)0.99(Al2O3)0.01となるように秤量後、直径10mmのナイロンボールが充填されたナイロン製ポットミル内に入れ、エタノール媒体中で24時間混合し、次に、1200kg/cm2の応力にて1軸加圧成形することにより、直径20mm、厚さ10mmの成形体を得、その後、成形体を焼成炉中において1400°C、10時間保持することにより焼結を行うことによって作製した、熱電半導体を構成する結晶粒径が40μm以下であることを特徴とする熱電半導体。

Claim (excerpt)：

セラミックスからなる熱電半導体であって、熱電半導体を構成する結晶粒径が40μm以下であることを特徴とする熱電半導体。

IPC (3)：

H01L 35/22 ,  C04B 35/495 ,  H01L 35/34

FI (3)：

H01L 35/22 ,  H01L 35/34 ,  C04B 35/00 J

F-Term (5)：

4G030AA32 ,  4G030AA36 ,  4G030BA02 ,  4G030BA21 ,  4G030CA05