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J-GLOBAL ID：200903060634127443

静電誘導トランジスタおよびその製造方法

Inventor： 西澤 潤一 ,  本谷 薫 ,  伊藤 彰
Applicant, Patent owner： 財団法人半導体研究振興会
Agent (1)： 中村 和年
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995145177
Publication number (International publication number)：1996316492
Application date： May. 22, 1995
Publication date： Nov. 29, 1996
Summary：

【要約】【目的】 ジャストピンチオフ特性を有し、VdONの小さいリセスゲート型のような溝型静電誘導トランジスタを提供する。【構成】チャンネルを形成するn-層2とn+ソース領域7との間に前記n-層よりも大きい不純物濃度を有するn層3を設け、このn層3に対して溝4を形成して前記溝4の底部にp+ゲート領域6を設けると共に、前記n+ソース領域を設けている。

Claim (excerpt)：

一導電型ドレイン領域と、前記ドレイン領域に接して設けらたチャンネル構造とを有し、前記チャンネル構造は一導電型ソース領域側で不純物濃度が大きい一導電型領域を含み、前記ソース領域側より形成し溝の底部に設けられた不純物濃度の大きい反対導電型ゲート領域が前記チャンネル構造における不純物濃度の大きい領域に配置されていることを特徴とする静電誘導トランジスタ。