書き込み可能な不揮発性メモリデバイス及びこのデバイスの製造方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：杉村暁秀 (外5名)
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：1998500359
Publication number (International publication number)：1999510966
Application date： May. 22, 1997
Publication date： Sep. 21, 1999
Summary：

【要約】本発明は、ダイオードがX選択ライン(Ki)とY選択ライン(Rj)との各交点に形成され、ダイオードのアノード及びカソードがX及びYの選択ラインに接続されている消去可能な不揮発性メモリに関するものである。これらのダイオードは水素添加されたアモルファスシリコン又はSi1-xGexのようなシリコン化合物に形成する。書き込みは、選択したダイオードを流れる電流パルスにより行う。半導体材料の劣化により順方向電流は、選択されなかったダイオードよりも大幅に小さくなり、例えば数100分の1に減少する。このダイオードは、加熱することにより、例えば200°C100分間加熱することによりオリジナルの状態に戻ることができる。好ましくは、ダイオードは、ショットキーダイオードで構成する。この理由は、この型式のダイオードの場合逆方向の特性がほとんど変化しないからである。ショットキーダイオードは、アモルファスの真性半導体材料(6)と選択ライン(Ki)との間の遷移領域に形成することができる。

Claim (excerpt)：

行及び列のマトリックスに配置され、行に平行な選択ラインの第1の組及び列に平行な選択ラインの第2の組が設けられている書き込み可能な不揮発性メモリセルの系を具え、メモリセルが選択ラインの各交点と関連する書き込み可能な不揮発性メモリデバイス(PROM)において、各メモリセルが、カソード及びアノードがそれぞれ選択ラインに接続されているダイオードだけにより構成され、アノード領域及びカソード領域の少なくとも一方の領域が、水和したシリコン含有アモルファス半導体材料を含むことを特徴とする書き込み可能な不揮発性メモリデバイス。

IPC (2)：

H01L 27/10 431 , G11C 17/06

FI (2)：

H01L 27/10 431 , G11C 17/06 D

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

特開平4-023463
特開平3-038874
薄膜ROM装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-164775 Applicant：エヌ・ベー・フィリップス・フルーイランペンファブリケン

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