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J-GLOBAL ID：200903060649688913
半導体基板の洗浄方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
鈴木 喜三郎 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991154590
Publication number (International publication number)：1993003185
Application date： Jun. 26, 1991
Publication date： Jan. 08, 1993
Summary：
【要約】【目的】 基板の洗浄方法において、半導体基板表面の清浄度を高める。【構成】 シリコン半導体集積回路を製造する際にシリコン半導体基板を洗浄工程において、該シリコン半導体基板を乾燥した直後にオゾンを含む雰囲気に入れることにより、該シリコン半導体基板のシリコン露出部分の表面に厚さ20Å以下の清浄なシリコン酸化膜を形成する。【効果】 この洗浄方法を使用して半導体集積回路を製造した場合、該半導体集積回路の電流特性を著しく改善することができる。
Claim (excerpt)：
シリコン半導体基板の洗浄において、該シリコン半導体基板をオゾンを含む不活性ガス雰囲気に入れて、該シリコン半導体基板のシリコン露出部分の表面に厚さ20Å以下の清浄なシリコン酸化膜を形成することを特徴とする半導体基板の洗浄方法。
IPC (2)：
H01L 21/304 341
, H01L 21/304
