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J-GLOBAL ID：200903060653044192
半導体装置の製造方法および半導体装置
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
鈴江 武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995084501
Publication number (International publication number)：1996153688
Application date： Mar. 17, 1995
Publication date： Jun. 11, 1996
Summary：
【要約】【目的】シリコン膜を選択的に形成すること【構成】ソース・ドレイン領域のシリコン基板101の表面をエッチングした後に、ソース・ドレイン領域のシリコン露出面および絶縁膜102,106,108の表面をフッ素含有ガスにより処理した後、CVD法によりシリコン露出面にボロン添加シリコン膜107を選択的に形成する。
Claim (excerpt)：
表面にシリコン領域を有し、その一部が絶縁膜で覆われた基板の前記シリコン領域の露出面にシリコン膜を選択的に形成するに際し、前記シリコン領域の露出面および前記絶縁膜の表面をフッ素含有ガスにより処理した後、前記基板にシリコン原料を供給することにより、前記シリコン領域の露出面にシリコン膜を選択的に形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (3)：
H01L 21/205
, H01L 21/3065
, H01L 21/316
Cited by examiner (9)
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