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J-GLOBAL ID：200903060655032426

SOI基板の製造方法

Inventor： 高田 涼子 ,  高石 和成 ,  富澤 憲治
Applicant, Patent owner： 三菱マテリアルシリコン株式会社
Agent (1)： 須田 正義
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997139031
Publication number (International publication number)：1998335616
Application date： May. 29, 1997
Publication date： Dec. 18, 1998
Summary：

【要約】【課題】薄膜表面のタッチポリッシュによる研磨を不要にでき、また厚さが極めて薄い薄膜であっても、膜厚が均一でかつ表面粗さが良好な薄膜が得られる。【解決手段】表面に絶縁層11aが形成された半導体基板11に水素イオンを注入して半導体基板11内部に絶縁層11aに平行な損傷領域11bを形成し、半導体基板11を支持基板12に重ね合せて積層体13を形成する。この積層体13を1×10-6〜1×10-11torrの真空中で400〜500°Cの範囲に昇温して半導体基板11を損傷領域11bで厚肉部11c及び薄膜11dに分離する。更に積層体13の温度を所定の温度まで下げて半導体基板11の厚肉部11cを除去した後に、積層体13を1×10-6〜1×10-11torrの真空中で900〜1200°Cの範囲に昇温して薄膜11d表面を平坦化しかつ薄膜11dを支持基板11に貼合せる。

Claim (excerpt)：

表面に絶縁層(11a)が形成された半導体基板(11)に水素イオンを注入して前記半導体基板(11)内部に前記絶縁層(11a)に平行な損傷領域(11b)を形成する工程と、前記半導体基板(11)を支持基板(12)に重ね合せて積層体(13)を形成する工程と、前記積層体(13)を1×10-6〜1×10-11torrの真空中で400〜500°Cの範囲に昇温して前記半導体基板(11)を前記損傷領域(11b)で厚肉部(11c)及び薄膜(11d)に分離する工程とを含むSOI基板の製造方法。

IPC (3)：

H01L 27/12 ,  H01L 21/02 ,  H01L 21/265

FI (3)：

H01L 27/12 B ,  H01L 21/02 B ,  H01L 21/265 Q