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J-GLOBAL ID：200903060663211208

フォトダイオード領域を埋め込んだイメージセンサ及びその製造方法

Inventor： 井上 忠夫 ,  山本 克義 ,  大川 成実
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (2)： 土井 健二 ,  林 恒徳
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005077237
Publication number (International publication number)：2006261411
Application date： Mar. 17, 2005
Publication date： Sep. 28, 2006
Summary：

【課題】 実質的な開口率を高くし且つ光感度を向上させたCMOSイメージセンサとその製造方法を提供する。【解決手段】 フォトダイオードとリセットトランジスタとソースフォロワトランジスタとを有するピクセルを複数形成されるイメージセンサであって,各ピクセルは,フォトダイオードとリセットトランジスタとの間に電荷転送用のトランスファーゲートトランジスタを有し,リセットトランジスタとトランスファーゲートトランジスタとの接続ノードであるフローティング・ディフュージョン領域がソースフォロワトランジスタのゲートに接続される。そして,各ピクセルのリセットトランジスタ及びソースフォロワトランジスタが形成されるウエル領域の下に,フォトダイオード領域が埋め込まれる。さらに,フォトダイオード領域は,フローティング・ディフュージョン領域の少なくとも一部領域の下には形成されていない。【選択図】 図6

Claim (excerpt)：

少なくともフォトダイオードとトランスファーゲートトランジスタとリセットトランジスタとソースフォロワトランジスタとをそれぞれ有するピクセルを複数有するイメージセンサであって, 前記ピクセルでは,前記トランスファーゲートトランジスタとリセットトランジスタとの接続ノードであるフローティング・ディフュージョン領域が,前記ソースフォロワトランジスタのゲートに接続され, 前記リセットトランジスタ及びソースフォロワトランジスタの下に埋め込まれたフォトダイオード領域を有し,当該フォトダイオード領域は,前記フローティング・ディフュージョン領域の少なくとも一部領域の下を除いて形成されていることを特徴とするイメージセンサ。

IPC (2)：

H01L 27/146 ,  H04N 5/335

FI (3)：

H01L27/14 A ,  H04N5/335 E ,  H04N5/335 U

F-Term (28)：

4M118AA01 ,  4M118AA03 ,  4M118AB01 ,  4M118BA14 ,  4M118CA04 ,  4M118CA18 ,  4M118DA32 ,  4M118DB09 ,  4M118DD04 ,  4M118DD12 ,  4M118EA01 ,  4M118EA03 ,  4M118EA15 ,  4M118EA16 ,  4M118FA06 ,  4M118FA27 ,  4M118FA28 ,  4M118FA29 ,  4M118FA33 ,  4M118GB06 ,  4M118GB11 ,  4M118GC08 ,  5C024CX41 ,  5C024CY47 ,  5C024GX03 ,  5C024GX16 ,  5C024GY31 ,  5C024HX01

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• CMOSイメージセンサー及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-113781   Applicant：株式会社ハイニックスセミコンダクター