ボトムゲート形薄膜トランジスタ及びその製造方法並びにこれを用いた液晶表示装置

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：津軽進 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000190765
Publication number (International publication number)：2002026326
Application date： Jun. 26, 2000
Publication date： Jan. 25, 2002
Summary：

【要約】【目的】 TFT製造処理上の負担を軽減し、安価な製造コストで済む良好なボトムゲート形薄膜トランジスタ及びその製造方法を提供する。【構成】基体層1と、ゲート電極2と、ゲート絶縁膜3と、ソース電極4及びドレイン電極5とが順に配されたボトムゲート形薄膜トランジスタ。このトランジスタは、ソース及びドレイン電極間に露出した当該ゲート絶縁膜部分に接しつつソース電極及びドレイン電極の相互対向端部各々と接触しかつゲート電極に対応づけられて形成された半導体チャネル層6を有する。チャネル層6は、ソース電極及びドレイン電極の上面側において、当該対向端部の一方から他方へ架け渡される構造を有する。チャネル層6のソース電極及びドレイン電極との接触部分は、オーミックコンタクト表層部6cが形成される。

Claim (excerpt)：

基体層と、ゲート電極と、ゲート絶縁膜と、ソース電極及びドレイン電極とが順に配されたボトムゲート形薄膜トランジスタであって、前記ソース及びドレイン電極間に露出した当該ゲート絶縁膜部分に接しつつ前記ソース電極及び前記ドレイン電極の相互対向端部各々と接触しかつ前記ゲート電極に対応づけられて形成された半導体チャネル層を有し、前記チャネル層は、前記ソース電極及び前記ドレイン電極の上面側において、前記対向端部の一方から他方へ架け渡される構造を有し、前記チャネル層の前記ソース電極及び前記ドレイン電極との接触部分は、オーミックコンタクト表層部が形成されている、ボトムゲート形薄膜トランジスタ。

IPC (4)：

H01L 29/786 , G02F 1/1368 , G09F 9/30 338 , H01L 21/336

FI (5)：

G09F 9/30 338 , H01L 29/78 616 S , G02F 1/136 500 , H01L 29/78 616 L , H01L 29/78 619 B

F-Term (72)：

2H092JA26 , 2H092JA29 , 2H092JA38 , 2H092JA42 , 2H092JA44 , 2H092JA46 , 2H092JB13 , 2H092JB23 , 2H092JB32 , 2H092JB33 , 2H092JB51 , 2H092JB57 , 2H092JB63 , 2H092JB69 , 2H092KA05 , 2H092KA07 , 2H092KB14 , 2H092MA05 , 2H092MA08 , 2H092MA14 , 2H092MA15 , 2H092MA16 , 2H092MA18 , 2H092MA19 , 2H092MA20 , 2H092MA27 , 2H092MA35 , 2H092MA37 , 2H092MA41 , 2H092NA22 , 2H092NA27 , 2H092PA05 , 2H092PA08 , 2H092QA07 , 5C094AA42 , 5C094AA43 , 5C094BA03 , 5C094BA43 , 5C094CA19 , 5C094EA03 , 5C094EA04 , 5C094EA07 , 5C094ED15 , 5C094FB12 , 5C094GB01 , 5F110AA16 , 5F110BB02 , 5F110BB10 , 5F110CC04 , 5F110DD02 , 5F110DD13 , 5F110EE03 , 5F110EE06 , 5F110EE44 , 5F110FF03 , 5F110FF28 , 5F110GG02 , 5F110GG15 , 5F110GG45 , 5F110HJ16 , 5F110HK06 , 5F110HK07 , 5F110HK21 , 5F110HK33 , 5F110HK39 , 5F110HL07 , 5F110NN02 , 5F110NN12 , 5F110NN16 , 5F110NN24 , 5F110NN44 , 5F110NN47

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