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J-GLOBAL ID:200903060678832691

半導体電子部品装置及びその製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 広瀬 和彦
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1998148329
Publication number (International publication number):1999326366
Application date: May. 13, 1998
Publication date: Nov. 26, 1999
Summary:
【要約】【課題】 基板と蓋板との接合時に一時的な隙間を設けることにより、接合時に生じる気体を外部に流出させ、内部の真空度、装置の作動状態を向上させる。【解決手段】 加速度センサ1の基板2と蓋板12との間には、加速度検出素子4を収容する収容空間13を設ける。また、基板2に対する蓋板12の接合面12Bには凹陥溝14と溶融性突起18とを設ける。そして、基板2と蓋板12とを減圧雰囲気中で陽極接合するときには、溶融性突起18により凹陥溝14の近傍にのみ隙間Sを形成し、収容空間13内に発生する気体を隙間Sから外部に流出させる。続いて、溶融性突起18を溶融して凹陥溝14内に流入させた後に、基板2と蓋板12とを隙間Sの位置で新たに接合し、収容空間13を密閉する。
Claim (excerpt):
表面に機能部が形成され該機能部の周辺部が接合面となった基板と、該基板と対向する面に該基板上の機能部を収容する収容凹部が形成されると共に該収容凹部の周辺に接合面が形成され、基板上に減圧雰囲気中で陽極接合して設けられた蓋板とからなる半導体電子部品装置において、前記基板と蓋板とのうち少なくともいずれか一方の接合面には、前記基板と蓋板との接合温度よりも高い温度で溶融する溶融性突起を設け、前記接合面には該溶融性突起を囲んで溶融した突起が流入するのを許す凹陥溝を設ける構成としたことを特徴とする半導体電子部品装置。
IPC (4):
G01P 15/125 ,  G01L 9/12 ,  H01L 23/02 ,  H01L 29/84
FI (4):
G01P 15/125 ,  G01L 9/12 ,  H01L 23/02 Z ,  H01L 29/84 Z

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