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J-GLOBAL ID：200903060691438986
半導体装置の製造方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
菅野 中
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992038486
Publication number (International publication number)：1993206082
Application date： Jan. 29, 1992
Publication date： Aug. 13, 1993
Summary：
【要約】【目的】 アフターコロージョンを抑制し、サイドエッチングを抑制する。【構成】 酸化膜4をマスクにドライエッチング技術によって配線膜3を微細加工する工程において、塩素系ガスまたは、ブロム系ガスにNH3ガスを添加してドライエッチングするものである。【効果】 配線膜の表面が窒化され、大気の水分と遮断することができるため、アフターコロージョンの抑制に対して効果があり、歩留りを向上できる。この作用は、配線加工時のマスク材料がフォトレジストマスクでも、酸化膜マスクでも効果がある。また、サイドエッチングを抑制する効果が得られる。
Claim (excerpt)：
配線材料膜をドライエッチングによって微細加工する半導体装置の製造方法であって、ドライエッチングは、塩素系ガスまたは、ブロム系ガスにNH3ガスを添加して行うものであることを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (3)：
H01L 21/302
, H01L 21/027
, H01L 21/3205
H01L 21/30 361 R
, H01L 21/88 D
Cited by examiner (10)
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