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J-GLOBAL ID：200903060696077574

樹脂封止型半導体装置

Inventor： 下澤 宏 ,  藤枝 新悦 ,  善積 章
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 鈴江 武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992074487
Publication number (International publication number)：1993283559
Application date： Mar. 30, 1992
Publication date： Oct. 29, 1993
Summary：

【要約】【目的】 封止樹脂における耐熱性および耐湿性に優れ、且つ充分な高熱伝導性および低応力性が共に付与された、高信頼性の樹脂封止型半導体装置を提供する。【構成】 マレイミド樹脂組成物によって半導体素子が封止され、このマレイミド樹脂組成物は、2,2-ビス(4-フェノキシフェニル)-N,N'-ビスマレイミドを必須成分として含むマレイミド樹脂と、硬化剤と、熱伝導率が300×10-4(cal/cm・s ・deg )以上の高熱伝導フィラーと、低応力付与剤とを含有することを特徴とする。

Claim (excerpt)：

マレイミド樹脂組成物によって半導体素子が封止されてなる樹脂封止型半導体装置であって、該マレイミド樹脂組成物が、(a)2,2-ビス(4-フェノキシフェニル)-N,N'-ビスマレイミドを必須成分として含むマレイミド樹脂と、(b)硬化剤と、(c)熱伝導率が300×10-4(cal/cm・s ・deg )以上の高熱伝導フィラーと、(d)低応力付与剤とを含有することを特徴とする樹脂封止型半導体装置。

IPC (5)：

H01L 23/29 ,  H01L 23/31 ,  B29C 33/12 ,  C08L 35/00 LJW ,  B29L 31:34