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J-GLOBAL ID：200903060696763630

半導体超微粒子分散型非線形光学素子

Inventor： 高原 茂 ,  水間 浩一 ,  八尾 浩史 ,  林 豊治
Applicant, Patent owner： 三井東圧化学株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993084413
Publication number (International publication number)：1994301071
Application date： Apr. 12, 1993
Publication date： Oct. 28, 1994
Summary：

【要約】【構成】 半導体超微粒子分散体からなる、半導体超微粒子励起子ピークよりも長波長側の光波長で動作させることを特徴とした半導体超微粒子分散型非線形光学素子。【効果】 本発明に従えば、吸光係数あたりの3次の非線形光学感受率の大きな非線形光学素子が提供でき、該素子を使用して光損失が少ない波長領域で3次の非線形光学効果を用いた光-光情報伝達ができる。

Claim (excerpt)：

半導体超微粒子分散体からなる、半導体超微粒子励起子吸収ピークよりも長波長側の光波長で動作させることを特徴とする半導体超微粒子分散型非線形光学素子。