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J-GLOBAL ID:200903060715199309
水素吸蔵合金および水素吸蔵合金電極
Inventor:
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Applicant, Patent owner:
Agent (1):
東島 隆治 (外1名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1995103987
Publication number (International publication number):1996295970
Application date: Apr. 27, 1995
Publication date: Nov. 12, 1996
Summary:
【要約】【目的】 高い水素吸蔵量を維持し、しかも初期活性および低温高率放電特性に優れた水素吸蔵合金を提供する。【構成】 一般式ZrMn<SB>a</SB>V<SB>b</SB>Mo<SB>c</SB>Cr<SB>d</SB>Co<SB>e</SB>Ni<SB>f</SB>(0.4≦a≦0.8,0≦b<0.3,0<c≦0.3,0<d≦0.3,0<e≦0.1,1.0≦f≦1.5,0.1≦b+c≦0.3,かつ2.0≦a+b+c+d+e+f≦2.4)、またはZr<SB>1-x</SB>Ti<SB>x</SB>Mn<SB>a</SB>V<SB>b</SB>Mo<SB>c</SB>Cr<SB>d</SB>Co<SB>e</SB>Ni<SB>f</SB>(0<x≦0.5,0.4≦a≦0.8,0≦b<0.3,0<c≦0.3,0<d≦0.3,0<e≦0.1,1.0≦f≦1.5,0.1≦b+c≦0.3,x≦b+c+d+e,かつ1.7≦a+b+c+d+e+f≦2.2)で示され、合金相の主成分がC15(MgCu<SB>2</SB>)型ラーバス相である水素吸蔵合金。
Claim (excerpt):
一般式ZrMn<SB>a</SB>V<SB>b</SB>Mo<SB>c</SB>Cr<SB>d</SB>Co<SB>e</SB>Ni<SB>f</SB>(0.4≦a≦0.8,0≦b<0.3,0<c≦0.3,0<d≦0.3,0<e≦0.1,1.0≦f≦1.5,0.1≦b+c≦0.3,かつ2.0≦a+b+c+d+e+f≦2.4)で示され、合金相の主成分がC15(MgCu<SB>2</SB>)型ラーバス相である水素吸蔵合金。
IPC (2):
FI (2):
Patent cited by the Patent: