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J-GLOBAL ID：200903060718388480

化合物半導体薄膜の製造方法および光電変換素子の製造方法

Inventor： 尾村 邦嘉 ,  花房 彰 ,  渋谷 聡 ,  近藤 繁雄
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 滝本 智之 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995118167
Publication number (International publication number)：1996316247
Application date： May. 17, 1995
Publication date： Nov. 29, 1996
Summary：

【要約】【目的】 有機カドミウム錯体を用いてCdS薄膜を作製する製造方法と、このCdS薄膜を用いたCdS/CdTe太陽電池素子を製造する方法を提供するものである。【構成】 空気中または不活性ガス雰囲気下で有機カドミウム錯体蒸気を発生させ、有機カドミウム錯体蒸気中に設置したガラス基板表面で有機カドミウム錯体を熱分解反応させることにより、ガラス基板表面にCdS膜を生成させる。このようにして作製したCdS膜上にCdTe膜を形成させることによりCdS/CdTe太陽電池を形成する。

Claim (excerpt)：

少なくとも硫黄、窒素、炭素、カドミウム原子を含んでなる有機イオウカドミウム錯体の蒸気を発生させ、この錯体蒸気中に設置した基板表面で前記錯体を熱分解させ、前記基板表面にCdS薄膜を生成させることを特徴とする化合物半導体薄膜の製造方法。

IPC (3)：

H01L 21/365 ,  H01L 31/04 ,  H01L 31/0248

FI (3)：

H01L 21/365 ,  H01L 31/04 E ,  H01L 31/08 K