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J-GLOBAL ID：200903060728694872

エレクトロルミネッセント装置及びTFEL装置並びに薄膜光吸収層の形成方法

Inventor： エリック アール ディッキイ
Applicant, Patent owner： プレイナー システムス インコーポレーテッド
Agent (1)： 杉村 暁秀 (外5名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995048393
Publication number (International publication number)：1995288183
Application date： Mar. 08, 1995
Publication date： Oct. 31, 1995
Summary：

【要約】【目的】 エレクトロルミネッセント装置において、表示装置のコントラストを一層増強し、アドレスされた画素のまわりのぼんやりした領域を除去し、さらに表示装置間のカラーの差異を除去することを目的とする。【構成】 本発明によるエレクトロルミネッセント装置は、少なくとも、透明電極層と、後側電極層と、これら透明電極層と後側電極層との間に配置され、前側誘電体層、後側誘電体層及びこれらの層の間に位置するエレクトロルミネッセント層を含む少なくとも3個の層とを含む複数の層とを有する。透明電極は透明基板上に形成され、透明電極と後側電極との間に電界を印加することにより光を放出させる。入射光の大部分を吸収する薄膜吸収層を後側電極と後側誘電体層との間に配置する。

Claim (excerpt)：

(a)少なくとも、透明電極層と、後側電極層と、これら透明電極層と後側電極層との間に配置され、前側誘電体層、後側誘電体層及びこれらの層の間に位置するエレクトロルミネッセント層を含む少なくとも3個の層とを含む複数の層と、(b)前記後側電極層と後側誘電体層との間に配置され、入射光の大部分を吸収する薄膜光吸収層とを具え、前記透明電極層と後側電極層との間に電界を印加することにより光を放出するように構成したエレクトロルミネッセント装置。

IPC (3)：

H05B 33/00 ,  H05B 33/22 ,  H05B 33/28

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• 特開昭61-245491
  

Cited by examiner (1)

• 特開昭61-245491