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J-GLOBAL ID：200903060759055282

半導体装置,半導体装置の製造方法,薄膜トランジスタ ,薄膜トランジスタの製造方法,表示装置,表示装置の 製造方法

Inventor： 浜田 弘喜 ,  平野 貴一 ,  合田 信弘 ,  阿部 寿 ,  田口 英二 ,  小田 信彦 ,  森本 佳宏
Applicant, Patent owner： 三洋電機株式会社
Agent (1)： 恩田 博宣
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994310825
Publication number (International publication number)：1996195491
Application date： Dec. 14, 1994
Publication date： Jul. 30, 1996
Summary：

【要約】【目的】所望の移動度を有する多結晶シリコン膜を簡易な方法で製造する。【構成】透明絶縁基板1上に形成した多結晶シリコン膜2の表面を酸化し、酸化物層3を形成した後、多結晶シリコン膜2および酸化物層3の上に非晶質シリコン膜4を形成し、この非晶質シリコン膜4を固相成長させて多結晶シリコン膜5を形成する。各多結晶シリコン膜2,5の膜厚比を調整することにより、多結晶シリコン膜5の移動度を所望の値にすることができる。

Claim (excerpt)：

少なくとも部分的に移動度の異なる多結晶シリコン薄膜を備えた半導体装置。

IPC (3)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/20

FI (2)：

H01L 29/78 311 Y ,  H01L 29/78 311 H

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

• 特開平2-094624
  
• 特開平1-090853
  
• 特開昭64-045162
  
• 特開平4-051514
  
• 特開昭64-066928
  
• 特開平2-109319
  
• 特開平4-196311