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J-GLOBAL ID：200903060767847155

埋め込み型半導体レーザ素子の製造方法

Inventor： 細井 洋治
Applicant, Patent owner： 沖電気工業株式会社
Agent (1)： 清水 守 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993204982
Publication number (International publication number)：1995058405
Application date： Aug. 19, 1993
Publication date： Mar. 03, 1995
Summary：

【要約】【目的】 活性層幅が1.0〜1.8μmと小さく、しかもn型InP電流阻止層の結晶成長時に這い上がりを防止することができる埋め込み型半導体レーザ素子の製造方法を提供する。【構成】 埋め込み型半導体レーザ素子の製造方法において、メサストライプ15を形成するエッチング液として、臭化水素酸、過酸化水素水、塩酸及び水からなり、臭化水素酸:過酸化水素水:塩酸:水の体積比が、2:1:20:10であり、メサストライプ15の形状が上部では垂直に近い逆メサ、下部では順メサ構造となり、メサストライプ15の幅と高さの比が1対2以上であり、p型InGaAsP活性層12が1.0〜1.8μmとなるメサストライプ15を形成する。

Claim (excerpt)：

埋め込み型半導体レーザ素子の製造方法において、(a)メサストライプを形成するエッチング液として、臭化水素酸、過酸化水素水、塩酸及び水からなり、臭化水素酸:過酸化水素水:塩酸:水の体積比が、2:1:20:10であり、(b)メサストライプの形状が上部では垂直に近い逆メサ、下部では順メサ構造となし、(c)前記メサストライプの幅と高さの比が1対2以上であり、活性層が1.0〜1.8μmとなるメサストライプを形成する埋め込み型半導体レーザ素子の製造方法。