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J-GLOBAL ID：200903060786748168
量子井戸構造光変調器付き分布帰還型半導体レーザおよびその製造方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
谷 義一 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992049806
Publication number (International publication number)：1993251812
Application date： Mar. 06, 1992
Publication date： Sep. 28, 1993
Summary：
【要約】【目的】 レーザと光変調器の活性層,光導波層を光学的吸収端波長の異なる多重量子井戸(MQW)構造で構成し、かつ、両者の屈折率が滑らかに接続した集積化光源を提供する。【構成】 MQW光変調器付きDFBレーザ素子10は、基板20とその上に設けられMQW構造26とこれを挟む上下クラッド層30,24とを有するDFBレーザ部12と、このレーザ部に結合されMQW構造34とこれを挟む上下クラッド層36,32とを有する光変調器部13とを備える。MQW構造26,34は導波方向に垂直な面内で相互に離隔し、変調器部の下クラッド層32を介して光結合領域16において光学的に結合されている。この光変調器付きレーザでは界面17は半導体部分15の対向する端面15Aのみを共有する。半導体部分14,15の上のクラッド層38は界面17を挟む領域に沿う分離部40を有する。
Claim (excerpt)：
基板と、前記基板上に設けられた光導波路とを具備し、前記光導波路は活性層としての第1の導波層とこの第1の導波層を挟む第1の上下クラッド層とを有する第1の半導体部分を含む分布帰還型半導体レーザ部と、前記半導体レーザ部に結合され第2の導波層とこの第2の導波層を挟む第2の上下クラッド層とを有する第2の半導体部分を含む光変調器部とを備え、前記半導体レーザ部および前記変調器部は前記第1および第2の半導体部分の上に設けられた第3のクラッド層を有し、前記第2の導波層はバリヤ層およびウェル層からなる多重量子井戸構造を有し、かつ、前記第1および第2の半導体部分は、前記第1および第2の導波層が導波方向に垂直な面内で相互に離隔しているとともに前記半導体レーザ部または前記光変調部の前記第1または第2の下クラッド層を介して相互に対向する光結合領域において光学的に結合された量子井戸構造光変調器付き分布帰還型半導体レーザにおいて、前記第1の導波層はバリヤ層およびウェル層からなる多重量子井戸構造を有し、前記第1および第2の半導体部分の界面が前記第1および第2の半導体部分の導波方向の対向する端面のみを共有し、かつ、前記第3のクラッド層は前記第1および第2の半導体部分の前記界面を挟む対向端部を含む領域に沿って設けられた分離部を有することを特徴とする量子井戸構造光変調器付き分布帰還型半導体レーザ。
Patent cited by the Patent：
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