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J-GLOBAL ID：200903060791350857

強誘電体素子およびその製造方法

Inventor： 藤原 徹男 ,  生田目 俊秀 ,  鈴木 孝明 ,  村田 康彦 ,  東山 和寿
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 武 顕次郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999142057
Publication number (International publication number)：2000332208
Application date： May. 21, 1999
Publication date： Nov. 30, 2000
Summary：

【要約】【課題】 強誘電体素子の強誘電体薄膜の低温下での作製を可能にし、強誘電体薄膜の電極界面での変質層と粗大結晶粒の生成、さらには基板下に形成されている回路の劣化を防止すること。【解決手段】上部電極40、強誘電体薄膜30、および下部電極20を有する強誘電体素子において、前記強誘電体薄膜30が、Biを含んだBi層状ペロブスカイト型酸化物にPb、Sn、In、Tlからなる群から選択された少なくとも1種以上の添加元素が添加されていると共に、強誘電体薄膜30の形成を350°C以上500°C以下の温度範囲で行うことを特徴とする。

Claim (excerpt)：

上部電極、強誘電体薄膜、および下部電極を有する強誘電体素子において、前記強誘電体薄膜が、Biを含んだBi層状ペロブスカイト型酸化物にPb、Sn、In、Tlからなる群から選択された少なくとも1種以上の添加元素が添加されていることを特徴とする強誘電体素子。

IPC (7)：

H01L 27/10 451 ,  C04B 35/495 ,  H01B 3/12 312 ,  H01B 3/12 318 ,  H01B 3/12 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242

FI (7)：

H01L 27/10 451 ,  H01B 3/12 312 ,  H01B 3/12 318 B ,  H01B 3/12 318 G ,  H01B 3/12 318 Z ,  C04B 35/00 J ,  H01L 27/10 651

F-Term (56)：

4G030AA08 ,  4G030AA09 ,  4G030AA10 ,  4G030AA17 ,  4G030AA20 ,  4G030AA21 ,  4G030AA22 ,  4G030AA23 ,  4G030AA24 ,  4G030AA27 ,  4G030AA28 ,  4G030AA34 ,  4G030AA39 ,  4G030AA40 ,  4G030AA43 ,  4G030BA09 ,  4G030CA01 ,  4G030CA07 ,  4G030GA27 ,  5F083AD21 ,  5F083FR01 ,  5F083FR02 ,  5F083GA21 ,  5F083JA15 ,  5F083JA17 ,  5F083JA36 ,  5F083JA37 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083JA43 ,  5F083PR23 ,  5F083PR33 ,  5F083ZA12 ,  5G303AA10 ,  5G303AB02 ,  5G303AB15 ,  5G303AB20 ,  5G303BA03 ,  5G303BA12 ,  5G303CA01 ,  5G303CB03 ,  5G303CB05 ,  5G303CB06 ,  5G303CB09 ,  5G303CB10 ,  5G303CB13 ,  5G303CB21 ,  5G303CB25 ,  5G303CB31 ,  5G303CB32 ,  5G303CB33 ,  5G303CB37 ,  5G303CB39 ,  5G303CB43 ,  5G303DA01