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J-GLOBAL ID：200903060802850083

SOIウエーハの製造方法及びSOIウエーハ

Inventor： 三谷 清 ,  横川 功
Applicant, Patent owner： 信越半導体株式会社
Agent (1)： 好宮 幹夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998208711
Publication number (International publication number)：2000030996
Application date： Jul. 07, 1998
Publication date： Jan. 28, 2000
Summary：

【要約】【課題】 SOI層の膜厚均一性が改善されたSOIウエーハを提供する。【解決手段】 SOI層を形成するボンドウエーハと支持基板となるベースウエーハのうち、少なくともボンドウエーハに酸化膜を形成し、該酸化膜を通して水素イオンまたは希ガスイオンを注入し、ボンドウエーハ内部に微小気泡層(封入層)を形成させた後、該イオン注入した方の面を前記ベースウエーハと密着させ、その後熱処理を加えて微小気泡層を劈開面としてボンドウエーハを薄膜状に分離するSOIウエーハの製造方法であって、前記ボンドウエーハに形成する酸化膜の厚さのバラツキが、前記イオン注入による注入深さのバラツキよりも小さくなるように、前記ボンドウエーハに形成する酸化膜の厚さを設定するSOIウエーハの製造方法。及びその方法で製造されたSOIウエーハ。

Claim (excerpt)：

SOI層を形成するボンドウエーハと支持基板となるベースウエーハのうち、少なくともボンドウエーハに酸化膜を形成し、該酸化膜を通して水素イオンまたは希ガスイオンを注入し、ボンドウエーハ内部に微小気泡層(封入層)を形成させた後、該イオン注入した方の面を前記ベースウエーハと密着させ、その後熱処理を加えて微小気泡層を劈開面としてボンドウエーハを薄膜状に分離するSOIウエーハの製造方法であって、前記ボンドウエーハに形成する酸化膜の厚さのバラツキが、前記イオン注入による注入深さのバラツキよりも小さくなるようにすることを特徴とするSOIウエーハの製造方法。