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J-GLOBAL ID：200903060812700721

コンタクトホールの形成方法

Inventor： 北沢 良幸
Applicant, Patent owner： セイコーエプソン株式会社
Agent (1)： 鈴木 喜三郎 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992033410
Publication number (International publication number)：1993234994
Application date： Feb. 20, 1992
Publication date： Sep. 10, 1993
Summary：

【要約】 (修正有)【目的】 薄膜トランジスタの層間絶縁に有機絶縁膜を用いた液晶表示装置のコンタクトホールの形成方法【構成】 酸化シリコン膜103と有機絶縁膜104の積層構造からなる層間絶縁膜に0.1Torr以上のドライエッチングおよび0.1Torr以下のドライエッチングを連続して施すことにより、前記層間絶縁膜にコンタクトホールを形成する。

Claim (excerpt)：

シリコン上に酸化シリコン膜を堆積する工程と、有機絶縁膜を積層する工程と、金属膜を堆積する工程と、前記金属膜をフォトリソグラフィー法によりパターニングする工程と、0.1Torr以上のドライエッチングおよび0.1Torr以下のドライエッチングを連続して施す工程を含む、前記有機絶縁膜と酸化シリコン膜をエッチングすることを特徴とするコンタクトホールの形成方法。

IPC (3)：

H01L 21/3205 ,  H01L 21/302 ,  H01L 29/784

FI (2)：

H01L 21/88 F ,  H01L 29/78 311 F