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J-GLOBAL ID：200903060817055077

半導体装置の製造方法

Inventor： 落水 洋聡 ,  田中 均
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 北野 好人
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998366854
Publication number (International publication number)：2000195801
Application date： Dec. 24, 1998
Publication date： Jul. 14, 2000
Summary：

【要約】【課題】 シリコンがドープされた化合物半導体層を形成する半導体装置の製造方法に関し、シリコンドーピングの面内均一性を向上しうる半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 シリコンがドープされた化合物半導体層を形成する半導体装置の製造方法において、化合物半導体層にドープするためのシリコン原料として、SiH4又はSi2H6と、SiH4又はSi2H6の水素基の一部をアミノ基で置換した有機アミノシラン系の原料とを同時に使用する。

Claim (excerpt)：

シリコンがドープされた化合物半導体層を形成する半導体装置の製造方法において、前記化合物半導体層にドープするためのシリコン原料として、SiH4又はSi2H6と、SiH4又はSi2H6の水素基の一部をアミノ基で置換した有機アミノシラン系の原料とを同時に使用することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (5)：

H01L 21/205 ,  H01L 29/778 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/812 ,  H01S 5/323

FI (3)：

H01L 21/205 ,  H01S 3/18 673 ,  H01L 29/80 H

F-Term (32)：

5F045AA04 ,  5F045AB10 ,  5F045AB11 ,  5F045AB13 ,  5F045AB14 ,  5F045AB40 ,  5F045AC02 ,  5F045AC08 ,  5F045AC09 ,  5F045AC19 ,  5F045BB04 ,  5F045CA07 ,  5F045DA52 ,  5F045DA53 ,  5F045DP04 ,  5F045DP16 ,  5F073CA06 ,  5F073CA14 ,  5F073CB19 ,  5F073DA05 ,  5F073DA11 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ05 ,  5F102GK05 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GN05 ,  5F102GQ01 ,  5F102HC01 ,  5F102HC05