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J-GLOBAL ID：200903060855747853

水素の製造方法

Inventor： 梅田 良人 ,  伊奈 孝 ,  高橋 義博 ,  飯島 澄男
Applicant, Patent owner： 東邦瓦斯株式会社
Agent (1)： 高橋 祥泰 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001347933
Publication number (International publication number)：2003146606
Application date： Nov. 13, 2001
Publication date： May. 21, 2003
Summary：

【要約】【課題】 本発明は,かかる従来の問題点に鑑みてなされたもので,長時間安定して製造可能な水素の製造方法を提供すること。【解決手段】 カーボンナノホーン1の存在下において,炭化水素化合物を熱分解して,水素を生成させる。また,上記熱分解は,温度550°C〜温度1200°Cで行い,上記熱分解の際に生成したカーボンをカーボンナノホーン1の表面に析出させながら水素を連続して生成する。また,上記熱分解は,温度550°C〜温度1200°Cで行うことが好ましい。

Claim (excerpt)：

カーボンナノホーンの存在下において,炭化水素化合物を熱分解して,水素を生成させることを特徴とする水素の製造方法。

IPC (3)：

C01B 3/26 ,  B01J 21/18 ,  H01M 8/06

FI (3)：

C01B 3/26 ,  B01J 21/18 M ,  H01M 8/06 R

F-Term (16)：

4G040DA03 ,  4G040DC01 ,  4G069AA02 ,  4G069AA08 ,  4G069BA08A ,  4G069BA08B ,  4G069CC17 ,  4G069EA03X ,  4G069EA03Y ,  4G069EB08 ,  4G069EB18Y ,  4G069FA01 ,  4G069FB77 ,  5H027AA02 ,  5H027BA00 ,  5H027KK41

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 水素の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-310293   Applicant：工業技術院長
• 単層カーボンナノホーン構造体とその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-225471   Applicant：科学技術振興事業団, センターサントルナショナルドラルシェルシュシアンティフィックス, 飯島澄男, 湯田坂雅子, 小海文夫, 高橋邦充, 熊谷幹郎, 坂東俊治, 末永和知