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J-GLOBAL ID：200903060860190441

半導体回路用洗浄剤及びそれを用いた半導体回路の製造方法

Inventor： 青山 哲男 ,  長谷見 隆司 ,  池田 英俊 ,  羽田 真由美
Applicant, Patent owner： 三菱瓦斯化学株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997094045
Publication number (International publication number)：1998289891
Application date： Apr. 11, 1997
Publication date： Oct. 27, 1998
Summary：

【要約】【課題】ドライエッチングにより形成される側壁保護堆積膜を、容易に除去でき、配線素材となる各種金属素材を腐食せず、エッチングによるコロージョンも発生しない様な半導体回路用洗浄剤および高精度の回路を製造する半導体回路の製造方法を提供する。【解決手段】第4級アンモニウム水酸化物と、水溶性有機溶剤と、水とからなる半導体回路用洗浄剤または更に糖類あるいは糖アルコールを含む半導体回路用洗浄剤及びこれらを用いた半導体回路の製造方法。

Claim (excerpt)：

下記式(1)【化1】(但し、式中R1 〜R4 はそれぞれ独立に、炭素数1〜4のアルキル基、炭素数1〜4のヒドロキシ置換アルキル基またはアリール基を示す。)で示される第四級アンモニウム水酸化物を0.01〜15重量%と、水溶性有機溶剤を20〜95重量%を含有し、残部が水であることを特徴とする半導体回路用洗浄剤。

IPC (4)：

H01L 21/304 341 ,  H01L 21/027 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/308

FI (5)：

H01L 21/304 341 L ,  H01L 21/308 G ,  H01L 21/30 572 B ,  H01L 21/30 572 A ,  H01L 21/302 N

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-026608   Applicant：三菱瓦斯化学株式会社, 三菱電機株式会社
• フォトレジスト剥離剤組成物および剥離方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-069746   Applicant：三菱瓦斯化学株式会社