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J-GLOBAL ID：200903060865136704
エルビウムにてドープされた光学デバイス
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
岡部 正夫 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993158555
Publication number (International publication number)：1994077579
Application date： Jun. 29, 1993
Publication date： Mar. 18, 1994
Summary：
【要約】 (修正有)【目的】 二つの反射性ミラーによって形成されるファブリペロ空胴及び原子番号57から71までのランタニド系列の元素から選択された希土類元素にてドープされたアクティブ層を持つ光学デバイスを提供する。【構成】 アクティブ層の厚さはλ/2の整数倍とされ、λはデバイスの動作、或は放射波長である。この整数は1から5までの数の一つとされ、空胴の基本モードが選択された希土類元素の放射波長と共振するようにされる。Q=300を超える空胴Q係数及び73の純度(finesses)が2つのSi/SiO2 分散ブラッグ反射器(DBR)ミラー及び一つのErを注入された(λ/2)SiO2アクティブ領域から成る構造によって達成される。
Claim (excerpt)：
昇順に基板、ボタム反射ミラー、アクティブ層、及びトップ反射層から成る発光デバイスであって、前記ミラーが前記アクティブ層を包囲するファブリペロ空胴を形成し、前記アクティブ層が原子番号57から71までのランタニド系列の元素から選択された希土類元素にてドープされ、アクティブ層の厚さがλ/2の整数倍であり、ここで、λがこのデバイスの動作(或は放射)波長であり、前記の整数が1から5までの範囲の一つであり、この空胴の基本モードが前記の選択された希土類元素の放射波長と共振することを特徴とする発光デバイス。
IPC (2)：
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (9)
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