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J-GLOBAL ID：200903060865506579

不揮発性半導体記憶装置

Inventor： 中村 明弘 ,  トーマス ベーム ,  青笹 浩 ,  山岸 万千雄
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 佐藤 隆久
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995226806
Publication number (International publication number)：1997074146
Application date： Sep. 04, 1995
Publication date： Mar. 18, 1997
Summary：

【要約】【課題】しきい値の制御が簡単にでき、回路規模の増大を招くことなく多値記憶を実現できる不揮発性半導体記憶装置を提供する。【解決手段】ゲート絶縁膜14を、SiO2 からなるトンネル酸化膜141、中間層の窒化シリコン膜142およびSiO2 からなるトップ酸化膜143により構成し、ゲート絶縁膜14の窒化シリコン膜142へ電荷を蓄積するこにより多値データの記憶を行う。このようにMONOS型不揮発性半導体多値記憶装置10は、書き込み、消去後のしきい値電圧Vthのばらつきが小さく、その分布幅が小さいことから、狭いしきい値電圧Vthのウインドウ幅での安定した読み出し動作を実現できる。そして、多値記憶を行う場合にも、ベリファイのような複雑な制御を行うことなく、コントロールゲート15への印加電圧を変化させるという簡単な操作のみでしきい値電圧Vthの制御が可能となる。

Claim (excerpt)：

ゲート電圧に応じてしきい値を制御することにより少なくとも3値を記憶可能な不揮発性半導体記憶装置であって、ゲート絶縁膜が、半導体基板上に第1の酸化膜、窒化膜、第2の酸化膜を順に積層した構造を有し、絶縁膜の界面に電荷を蓄積するこによりデータの記憶を行う不揮発性半導体記憶装置。

IPC (4)：

H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  H01L 27/115

FI (2)：

H01L 29/78 371 ,  H01L 27/10 434

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開昭58-086777
  
• 特開昭59-211281
  
• 特開平2-180078